更新時間：2025-01-15
高精度鉑電阻溫度傳感器產(chǎn)品概述高精度鉑電阻溫度探頭采用行業(yè)的真空 PVD 沉積、 MEMS 精密加工等技術，已經(jīng)完成 -70℃ ～ 1000℃寬溫區(qū)傳感器芯片國產(chǎn)化。主要技術指標達到進口產(chǎn)品水平，具備 MEMS 加工優(yōu)良技術裝備和工藝， 可以為客戶提供 MEMS 工藝代加工和傳感器芯片開發(fā)合作業(yè)務?？捎糜诟黝悆x器儀表制造業(yè)和制造各種溫 度傳感器，更適合對溫度測量精度
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高精度鉑電阻溫度傳感器
產(chǎn)品概述
高精度鉑電阻溫度探頭采用行業(yè)的真空 PVD 沉積、 MEMS 精密加工等技術，已經(jīng)完成 -70℃ ～ 1000℃寬溫區(qū)傳感器芯片國產(chǎn)化。主要技術指標達到進口產(chǎn)品水平，具備 MEMS 加工優(yōu)良技術裝備和工藝， 可以為客戶提供 MEMS 工藝代加工和傳感器芯片開發(fā)合作業(yè)務?？捎糜诟黝悆x器儀表制造業(yè)和制造各種溫 度傳感器，更適合對溫度測量精度要求比較高的科研領域和工業(yè)領域；鉑電阻芯片可提供 100Ω、200Ω、 1000Ω 等阻值的元件。在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，有良好的絕緣性，鉑電阻溫度范圍 -70° C ～ 1000° C。
高精度鉑電阻溫度傳感器產(chǎn)品特點
1. 可用于各類儀器儀表制造業(yè)和制造各種溫度傳感器，更適合對溫度測量精度要求比較高的科研領域和工業(yè)領域；
2. 鉑電阻芯片可提供100Ω、200Ω、1000Ω等阻值的元件；
3. 在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，有良好的絕緣性，鉑電阻溫度范圍是-70℃~1000℃；
4. 高性能和長壽命特性；
5. 引腳材料為鉑銥絲；
6.1000℃50小時R（℃）的阻值漂移≤0.1％；
7.10至1000Hz的頻率加速度≥40g。
高精度鉑電阻溫度傳感器產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品尺寸 | 長4±0.2mm×寬2±0.2mm×厚1±0.2mm（可定制），引線長度5mm，直徑：Φ0.25mm |
推薦工作電流 | 0.3~1mA（需考慮自熱） |
響應時間 | 空氣中≤0.5s |
引線材質 | 鉑銥絲 |
絕緣電阻 | 100℃時大于 20MΩ |
引線拉拔強度 | ≥12N |
溫度范圍 | -70℃ ~ 1000℃。 |
高精度鉑電阻溫度傳感器性能指標
標稱阻值(0℃) | 型號 | 工作溫度 | 溫度系數(shù) |
100Ω | PT100 | -70℃ ~ 1000℃ | 3850ppm/℃ |
200Ω | PT200 | -70℃ ~ 1000℃ | 3770ppm/℃ |
1000Ω | PT1000 | -70℃ ~ 1000℃ | 3850ppm/℃ |
性能偏差
等級 | 溫度偏差 | 阻值偏差 | 溫度系數(shù)偏差 |
| 1/10 B | ±0.03% | ±0.01% | ±1ppm/℃ |
| 1/3 B | ±0.10% | ±0.04% | ±4ppm/℃ |
A | ±0.15% | ±0.06% | ±6ppm/℃ |
B | ±0.30% | ±0.12% | ±12ppm/℃ |
2B | ±0.60% | ±0.24% | ±24ppm/℃ |
性能測試
產(chǎn)品經(jīng)過 1000℃連續(xù) 50 小時加熱后，測試 0℃阻值的結果見圖1
公司產(chǎn)品與進口產(chǎn)品在相同測試條件下測得的溫度數(shù)據(jù)見圖2
1000℃/50小時老化試驗Aging Test at 1000℃ for 50 Hours
燒結前Before heating 燒結后After heating
圖1老化試驗阻值變化
溫度特性對比
公司產(chǎn)品 進口產(chǎn)品
圖 2 產(chǎn)品性能對比試驗
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